國內做壓力容器分析設計的設計院，國內做特種設備分析設計的設計院

國內做壓力容器分析設計的設計院，國內做特種設備分析設計的設計院廠房應滿足光刻及測試設備的防微振要求。
6.1.2 硅集成電路芯片廠房的選址應對場地周圍的振源進行充分的調查與評估。
6.1.3 廠址選擇除既有環境的振源外，尚應計及在未來可能產生的振源對擬建廠房的影響。
6.1.4 振動大的動力設備和運輸工具等應遠離對振動敏感的凈化生產區域，動力廠房與生產廠房不宜貼近布置。
6.1.5 硅集成電路芯片廠房宜在下列階段進行微振測試和評價：

    1 在建設前，對場地素地進行測試和評價；國內做壓力容器分析設計的設計院，國內做特種設備分析設計的設計院交通運輸設施對建設場地的微振動水平有重要影響，當場地的微振動超過擬建廠房生產工藝的要求時，依靠結構措施抑制廠房結構的振動響應需付出高昂代價且具有較大技術風險。因此，調查交通設施（如碼頭、火車、高鐵、城鐵、鄰近的飛機場等）對所選場地的影響、評價場地是否適宜建設微振敏感廠房是必須進行的前期工作。規劃中的交通設施或振動較大的廠房（如建造新廠房、道路變化、新增城鐵及地鐵等）對場地的振動影響由于尚未實施而難于評價，國內做壓力容器分析設計的設計院，國內做特種設備分析設計的設計院對集成電路芯片廠的正常運行具有潛在威脅，因而了解擬建場地周邊的遠景規劃也是重要的前期工作
    2 生產廠房結構體完工后，對于布置光刻及測試設備的區域進行測試；
    3 生產廠房竣工時，對布置光刻及測試設備的區域進行測試。條文說明6.1.1 集成電路芯片廠房的微振控制歸根結底是在生產區樓面提供一個滿足振動敏感設備安裝要求的微振動環境，所以微振控制要求是由生產工藝及所選設備決定的。國內做壓力容器分析設計的設計院，國內做特種設備分析設計的設計院在集成電路芯片生產中，對微振有較高要求的通常為光刻設備以及掃描電子顯微鏡，其容許振動值的物理量表達通常有振幅（μm）、振動速度（mm/s）以及振動加速度（mm/s2），這三種物理量可以通過公式換算。在國際上通常以通用振動標準曲線VC進行定義，如圖3所示。VC曲線是指一組表示在一定頻率范圍內振動幅值（用速度表征）的曲線，按振動速度從高到低依次為VC-A、VC-B…VC-G。有關VC曲線的定義、場地和樓面微振動的測試、數據采集、處理和報告，國內做壓力容器分析設計的設計院，國內做特種設備分析設計的設計院環境科學與技術協會（IEST）的有關標準（表2）。