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      公司新聞
      浮頭式換熱器
      發布時間: 2023-04-28 15:33 更新時間: 2024-11-01 09:00

      浮頭式換熱器集成電路芯片工藝十分復雜,復雜電路的工藝步驟可高達500多步,一般可概分為前段工藝及后段工藝。硅片下線后,在其清洗過后的表面上,通過氧化或化學氣相淀積的方法形成各種薄膜,經由光刻成型與刻蝕工藝形成各類圖形,采用離子注入或擴散方法摻雜形成所需的電學特性,再通過濺射形成多重導線,如此多次循環重復,*終形成電路圖形。
      浮頭式換熱器清洗工藝。

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          清洗工藝主要用來去除金屬雜質、有機物污染、微塵。一般情況下,使用高純度的化學品來清洗,高純度的去離子純水來洗濯,*后在高純度的氣體環境下高速脫水甩干,或采用高揮發性的有機溶劑除濕干化。按照清洗方式的不同,浮頭式換熱器一般可分為濕法化學法、物理洗凈法和干法洗凈法。
          2 氧化工藝。
          氧化工藝由硅的氧化形成氧化層,作為性能良好的絕緣材料。浮頭式換熱器一般可分為濕法氧化法和干法氧化法;而常見的氧化設備有式與直立式爐管。?
          3 擴散工藝。
          擴散工藝是指物質(氣、固、液)中的原子或分子在高溫狀態下,因高溫激化作用,浮頭式換熱器由高濃度區域移至低濃度區域。
          4 化學氣相淀積工藝。

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